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對(duì)封裝后的芯片顆粒進(jìn)行高低溫與大電流環(huán)境下的老化測(cè)試，在測(cè)試中對(duì)顆粒內(nèi)部缺陷進(jìn)行修復(fù)。融合高低溫、老化沖擊、功能測(cè)試等各項(xiàng)測(cè)試工藝，并對(duì)檢測(cè)出的不良進(jìn)行軟件算法修復(fù)，可以取代多道化統(tǒng)的品圓及封裝老化測(cè)試流程，實(shí)現(xiàn)高吞吐容量的電學(xué)性能與可靠性驗(yàn)證要求。